BS170 N-Channel MOSFET TO-92

BS170 är en N-kanals MOSFET, förpackad i ett kompakt TO-92-hölje. Denna typ av MOSFET är idealisk för användning i kretsar med låg spänning och ström, såsom små signaltransistorer.

Viktigaste specifikationer:

• Drain-Source-spänning (Vds): 60V
• Gate-Source-spänning (Vgs): ±20V (kontinuerligt), ±40V (icke-repetitivt)
• Drainström (Id): 0.5A
• Total effektförlust: 350 mW vid 25°C
• Arbetstemperatur: -55°C till +150°C
• Gate-tröskelspänning (Vgs(Th)): 0.8V till 3.0V
• On-resistans (Rds(on)): Maximal 5 Ω vid Vgs = 10V
• Växlingstider: Turn-on- och turn-off-tid på 4-10 nanosekunder

BS170 erbjuder utmärkt prestanda i snabba switchtillämpningar tack vare låga växlingstider och är lämplig för användning bland annat i små effektregulatorer och signalförstärkare.